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一文了解原子層沉積(ALD)技術的原理與特點

發布時間: 2024-02-27  點擊次數: 747次

什么是原子層沉積技術

原子層沉積技術(ALD)是一種一層一層原子級生長的薄膜制備技術。理想的 ALD 生長過程,通過選擇性交替,把不同的前驅體暴露于基片的表面,在表面化學吸附并反應形成沉積薄膜。

 

20 世紀 60 年代,前蘇聯的科學家對多層 ALD 涂層工藝之前的技術(與單原子層或雙原子層的氣相生長和分析相關)進行了研究。后來,芬蘭科學家獨立開發出一種多循環涂層技術(1974年,由 Tuomo Suntola 教授申請專zhuan利)。在俄羅斯,它過去和現在都被稱為分子層沉積,而在芬蘭,它被稱為原子層外延。后來更名為更通用的術語“原子層沉積",而術語“原子層外延"現在保留用于(高溫)外延 ALD。

 

Part 01.原子層沉積技術基本原理

 

一個完整的 ALD 生長循環可以分為四個步驟:

 

1.脈沖第一種前驅體暴露于基片表面,同時在基片表面對第一種前驅體進行化學吸附

2.惰性載氣吹走剩余的沒有反應的前驅體

3.脈沖第二種前驅體在表面進行化學反應,得到需要的薄膜材料

4.惰性載氣吹走剩余的前驅體與反應副產物

 

 原子層沉積( ALD )原理圖示

 

涂層的層數(厚度)可以簡單地通過設置連續脈沖的數量來確定。蒸氣不會在表面上凝結,因為多余的蒸氣在前驅體脈沖之間使用氮氣吹掃被排出。這意味著每次脈沖后的涂層會自我限制為一個單層,并且允許其以原子精度涂覆復雜的形狀。如果是多孔材料,內部的涂層厚度將與其表面相同!因此,ALD 有著越來越廣泛的應用。

 

Part 02原子層沉積技術案例展示

 

原子層沉積通常涉及 4 個步驟的循環,根據需要重復多次以達到所需的涂層厚度。在生長過程中,表面交替暴露于兩種互補的化學前驅體。在這種情況下,將每種前驅體單獨送入反應器中。

 

下文以包覆 Al2O3 為例,使用第一前驅體 Al(CH3)3(三甲基鋁,TMA)和第二前驅體 H2O 或氧等離子體進行原子層沉積,詳細過程如下:

 

反應過程圖示

 

在每個周期中,執行以下步驟: 

 

01 第一前驅體 TMA 的流動,其吸附在表面上的 OH 基團上并與其反應。通過正確選擇前驅體和參數,該反應是自限性的。

 

Al(CH3)3 + OH => O-Al-(CH3)2 + CH4

 

02使用 N2 吹掃去除剩余的 Al(CH3)3 和 CH4

 

03第二前驅體(水或氧氣)的流動。H2O(熱 ALD)或氧等離子體自由基(等離子體 ALD)的反應會氧化表面并去除表面配體。這種反應也是自限性的。

 

O-Al-(CH3)2 + H2O => O-Al-OH(2) + (O)2-Al-CH3 + CH4

 

04使用 N2 吹掃去除剩余的 H2O 和 CH4,繼續步驟 1。

 

由于每個曝光步驟,表面位點飽和為一個單層。一旦表面飽和,由于前驅體化學和工藝條件,就不會發生進一步的反應。

 

為了防止前驅體在表面以外的任何地方發生反應,從而導致化學氣相沉積(CVD),必須通過氮氣吹掃將各個步驟分開。

 

Part 03原子層沉積技術的優點

 

由于原子層沉積技術,與表面形成共價鍵,有時甚至滲透(聚合物),因此具有出色的附著力,具有低缺陷密度,增強了安全性,易于操作且可擴展,無需超高真空等特點,具有以下優點:

 

厚度可控且均勻

通過控制沉積循環次數,可以實現亞納米級精度的薄膜厚度控制,具有優異的重復性。大面積厚度均勻,甚至超過米尺寸。

 

涂層表面光滑

3D 共形性和 100% 階梯覆蓋:在平坦、內部多孔和顆粒周圍樣品上形成均勻光滑的涂層,涂層的粗糙度非常低,并且遵循基材的曲率。該涂層甚至可以生長在基材上的灰塵顆粒下方,從而防止出現針孔。

 

ALD 涂層臺階覆蓋性

 

適用多類型材料

所有類型的物體都可以進行涂層:晶圓、3D 零件、薄膜卷、多孔材料,甚至是從納米到米尺寸的粉末。且適用于敏感基材的溫和沉積工藝,通常不需要等離子體。

 

可定制材料特性

適用于氧化物、氮化物、金屬、半導體等的標準且易于復制的配方,可以通過三明治、異質結構、納米層壓材料、混合氧化物、梯度層和摻雜的數字控制來定制材料特性。

 

寬工藝窗口,且可批量生產

對溫度或前驅體劑量變化不敏感,易于批量擴展,可以一次性堆疊和涂覆許多基材,并具有涂層厚度均勻性。




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